只读存储器，大部分只读存储器用金属—氧化物—半导体（MOS）场效应管制成，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。只读存储器所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。只读存储器所存数据稳定 ，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数品种的只读存储器（如字符发生器）可以通用之外，不同用户所需只读存储器的内容不同。

　　为便于使用和大批量生产，进一步发展了可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程序只读存储器（EPROM）和电可擦可编程只读存储器（EEPROM）。EPROM需用紫外光长时间照射才能擦除，使用很不方便。20世纪80年代制出的EEPROM，克服了EPROM的不足，但集成度不高，价格较贵。于是又开发出一种新型的存储单元结构同EPROM相似的快闪存储器，其集成度高、功耗低、体积小，又能在线快速擦除，因而获得飞速发展，并逐渐取代硬盘和软盘成为主要的大容量存储媒体。

　　只读存储器主要由地址译码器、存储矩阵和输出缓冲器三部分组成，如图：

　　存储矩阵是存放信息的主体，它由许多存储单元排列组成。每个存储单元存放一位二值代码(0 或 1)，若干个存储单元组成一个“字”(也称一个信息单元)。 地址译码器有n条地址输入线A₀~A_n-1，2n条译码输出线W₀~W_2ⁿ-1，每一条译码输出线Wi称为“字线”，它与存储矩阵中的一个“字”相对应。因此， 每当给定一组输入地址时，译码器只有一条输出字线Wi被选中，该字线可以在存储矩阵中找到一个相应的“字”，并将字中的m位信息D_m-1~D₀送至输出缓冲器。读出D_m-1~D₀的每条数据输出线Di也称为“位线”，每个字中信息的位数称为“字长”。