场效应管的主要参数
直流参数
交流参数
极限参数
一、开启电压UT
开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值，场效应管不能导通。
二、夹断电压UP
夹断电压是耗尽型FET的参数，当UGGS=UP时，漏极电流电流为零。
三、饱和漏极电流IDSS
耗尽型场效应三极管当UGS=0时所对应的漏极电流。
四、直流输入电阻RGS
栅源间所加的恒定电压UGS与流过栅极场效应管,场效应管的主要参数电流IGS之比结型场效应三极管，反偏时RGS约大于197Ω
绝缘栅场效应三极管RGS约是109~1015Ω
五、漏源击穿电压BUDS
使ID开始剧增时的UDSо
六、栅源击穿电压BUGS
JFET:反向饱和电流剧增时的栅源电压
MOS：使SiO2绝缘层击穿的电压
1、低频跨导gm
低频跨导反映了场效应管,场效应管的主要参数栅压对漏极电流控制作用
gm的求法：
图解法--gm实际就是转移特性曲线的斜率
解析法：如增强型MOS管存在ID=K(UGS-UT)2
2、衬底跨导gmb
反映出了衬底偏置场效应管,场效应管的主要参数电压对漏极电流ID的控制作用
3、漏极电阻rds
反映了UDS对ID的影响，实际上是输出特性上工作点切线上的斜率
4、导通电阻Ron
在恒阻区内
