2DB1182Q-13,2DB1182Q-13|Diodes Inc代理分销-2DB1182Q13原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | 2DB1182Q |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 2A |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 32V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值（最大值） | 800mV @ 200mA，2A |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 500mA，3V |
| 功率 - 最大值 | 10W |
| 频率 - 跃迁 | 110MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252 |
| 其它名称 | 2DB1182Q-13DITR 2DB1182Q13 |
