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3SK291(TE85L,F
- 射频 MOSFET,N沟道,12.5V,0.03A,UHF,SMQ4 - 3SK291TE85LF
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3SK291(TE85L,F
制造商型号:
3SK291(TE85L,F
制造商:
Toshiba
描述:
射频 MOSFET,N沟道,12.5V,0.03A,UHF,SMQ4
技术参考:
PDF查询
库存状态:
实时库存查询
所在地:
深圳全新原装现货
备注:
代理销售世界各大品牌电子元器件,大量全新原装正品现货
订购热线:
400-900-3095, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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产品信息
典型功率增益
22.5 dB
典型输入电容值@Vds
2.6 pF V @ 6
安装类型
表面贴装
宽度
1.5mm
封装类型
2-3J1A
尺寸
2.9 x 1.50 x 1.1mm
引脚数目
4
最大功率耗散
0.15 W
最大栅源电压
±8 V
最大漏源电压
12.5 V
最大连续漏极电流
0.03 A
最高工作温度
+125 °C
每片芯片元件数目
1
类别
射频放大器、电视调谐器、UHF
通道模式
消耗
通道类型
N
配置
双门、单
长度
2.9mm
高度
1.1mm
手机网站相关详细信息:
3SK291(TE85L,F
旗下站点
www.szcwdz.cn
相关详细信息:
3SK291(TE85L,F
旗下站点
www.szcwdz.com.cn
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型号: 3SK291(TE85L,F 品牌: Toshiba 备注: 射频 MOSFET,N沟道,12.5V,0.03A,UHF,SMQ4
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