
| 数据列表 | APT40GP60(B,S) |
|---|---|
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | POWER MOS 7® |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | PT |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,40A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 160A |
| 功率 - 最大值 | 543W |
| Switching Energy | 385µJ (开), 352µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 135nC |
| Td (on/off) A 25°C | 20ns/64ns |
| Test Condition | 400V, 40A, 5 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-268-3,D³Pak(2 引线+接片),TO-268AA |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | D3 [S] |