
| 典型输入电容值@Vds | 150 pF @ 16 V(N 沟道),175 pF @ -16 V(P 沟道) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 封装类型 | SOT-563 | |
| 尺寸 | 1.7 x 1.25 x 0.6mm | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最低工作温度 | -65 °C | |
| 最大功率耗散 | 400 mW | |
| 最大栅源电压 | ±8(N 沟道)V,±8(P 沟道)V | |
| 最大漏源电压 | 20(N 沟道)V、-20(P 沟道)V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.9(N 沟道)Ω,2(P 沟道)Ω | |
| 最大连续漏极电流 | -530(P 沟道)mA,670(N 沟道)mA | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 小信号 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N,P | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 高度 | 0.6mm |