DMN3150LW-7,DMN3150LW-7|Diodes Inc代理分销-DMN3150LW7原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | DMN3150LW |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-323 |
| 其它图纸 | SOT-323 Package Top SOT-323 Package Side 1 SOT-323 Package Side 2 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 11/Nov/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 28V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 1.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 88 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 305pF @ 5V |
| 功率 - 最大值 | 350mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 |
| 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN3150LW7 DMN3150LWDITR |
