
| 数据列表 | DMN5L06DMK |
|---|---|
| 产品相片 | SOT26 |
| 产品目录绘图 | SOT-26 Package Top SOT-26 Package Side 1 SOT-26 Package Side 2 |
| PCN Design/Specification | Bond Wire 3/May/2011 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 50V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 305mA |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 2 欧姆 @ 50mA @ 5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | - |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 50pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 400mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 供应商器件封装 | SOT-26 |
| 产品目录页面 | 1577 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | DMN5L06DMK7 DMN5L06DMKDITR |