
| 数据列表 | EMB2, UMB2N, IMB2A |
|---|---|
| 产品相片 | EMT6_EMT6 PKg |
| 产品目录绘图 | EMT-6 Package Top |
| 标准包装 | 8,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 47k |
| 电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω) | 47k |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 5mA,5V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
| 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 150mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 供应商器件封装 | EMT6 |
| 产品目录页面 | 1643 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | EMB2T2R-ND EMB2T2RTR |