FDFM2N111,FDFM2N111|Fairchild Semiconductor代理分销-FDFM2N111原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | FDFM2N111 |
|---|---|
| 产品相片 | 6-MLP |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管（隔离式） |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 4A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 100 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 3.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 273pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 800mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-MLP，Power33 |
| 供应商器件封装 | MicroFET 3x3mm |
