
| 数据列表 | FDFS2P106A |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 产品培训模块 | High Voltage Switches for Power Processing |
| PCN Design/Specification | Mold Compound 12/Dec/2007 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PowerTrench® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 二极管(隔离式) |
| 漏源极电压 (Vdss) | 60V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 110 毫欧 @ 3A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 21nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 714pF @ 30V |
| 功率 - 最大值 | 900mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 产品目录页面 | 1603 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | FDFS2P106A_NL FDFS2P106A_NLTR FDFS2P106A_NLTR-ND FDFS2P106ATR |