
| 标准包装 : | 1 |
| 系列 : | - |
| FET 型 : | 6 N-沟道(3 相桥) |
| FET 特点 : | 标准型 |
| 漏极至源极电压(Vdss) : | 150V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C : | 200A |
| 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 3.55 毫欧 @ 200A, 15V |
| Id 时的 Vgs(th)(最大) : | 7.3V @ 20mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs : | 1300nC @ 15V |
| 在 Vds 时的输入电容(Ciss) : | 75000pF @ 10V |
| 功率 - 最大 : | 650W |
| 安装类型 : | 底座安装 |
| 封装/外壳 : | 模块 |
| 供应商设备封装 : | 模块 |
| 包装 : | 散装 |