FQD2N80T,FQD2N80T|Fairchild Semiconductor代理分销-FQD2N80T原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 25 ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12 ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12 nC V @ 10 | |
| 典型输入电容值@Vds | 425 pF V @ 25 | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 6.1mm | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 尺寸 | 6.6 x 6.1 x 2.3mm | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2500 mW | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 最大漏源电阻值 | 6.3 Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 1.8 A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N | |
| 配置 | 单 | |
| 长度 | 6.6mm | |
| 高度 | 2.3mm |
