
| 数据列表 | GT25Q102 |
|---|---|
| 标准包装 | 100 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2.7V @ 15V,25A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 25A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 50A |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | 300ns/680ns |
| Test Condition | 600V, 25A, 43 欧姆 |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-3PL |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-3P(LH) |