
| 数据列表 | IRF3007S/LPbF |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 75V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 62A (Tc) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 12.6 毫欧 @ 48A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 130nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 3270pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 120W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 产品目录页面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称 | *IRF3007SPBF |