
| 数据列表 | IRF7476 |
|---|---|
| 产品相片 | 8-SOIC |
| 设计资源 | IRF7476 Saber Model IRF7476 Spice Model |
| 标准包装 | 95 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 15A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 8 毫欧 @ 15A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.9V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 40nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2550pF @ 6V |
| 功率 - 最大值 | 2.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7476 Q1332195 |