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IRFH5250DTR2PB
制造商型号： IRFH5250DTR2PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N沟道，25V，40A，HEXFET，PQFN8EP
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
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产品信息
典型关断延迟时间23 ns
典型接通延迟时间23 ns
典型栅极电荷@Vgs83 nC V @ 10
典型输入电容值@Vds6115 pF V @ 13
安装类型表面贴装
宽度5mm
封装类型PQFN
尺寸6 x 5 x 0.9mm
引脚数目8
最低工作温度-55 °C
最大功率耗散3.6 W
最大栅源电压±20 V
最大漏源电压25 V
最大漏源电阻值2.2 mΩ
最大连续漏极电流40 A
最高工作温度+150 °C
每片芯片元件数目1
类别功率 MOSFET
通道模式增强
通道类型N
配置四漏极、单、三源
长度6mm
高度0.9mm

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