
| 数据列表 | IRG7PH42UD1PBF(EP) |
|---|---|
| 产品相片 | TO-247-3 |
| 产品培训模块 | IGBT Primer Device and Applications High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 特色产品 | International Rectifier - 1200V Trench IGBTs |
| 标准包装 | 25 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | 沟道 |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 2V @ 15V,30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 85A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
| 功率 - 最大值 | 313W |
| Switching Energy | 1210µJ (关) |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 180nC |
| Td (on/off) A 25°C | -/270ns |
| Test Condition | 600V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AC |