
| 数据列表 | IRLML9301TRPbF |
|---|---|
| 产品相片 | SOT-23-3 |
| 产品培训模块 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 设计资源 | IRLML9301TRPBF Saber Model IRLML9301TRPBF Spice Model |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 3.6A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 64 毫欧 @ 3.6A,10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 4.8nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 388pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.3W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 供应商器件封装 | Micro3?/SOT-23 |
| 其它名称 | IRLML9301TRPBF-ND IRLML9301TRPBFTR |