IRLMS5703TR,IRLMS5703TR|International Rectifier代理分销-IRLMS5703TR原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | IRLMS5703 |
|---|---|
| 产品相片 | IRF5800TRPBF |
| 设计资源 | IRLMS5703TR Saber Model IRLMS5703TR Spice Model |
| 标准包装 | 1 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 30V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 2.3A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 200 毫欧 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 170pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商器件封装 | Micro6?（TSOP-6） |
| 其它名称 | *IRLMS5703TR IRLMS5703 IRLMS5703CT |
