STGP30H60DF,STGP30H60DF|STMicroelectronics代理分销-STGP30H60DF原装现货,PDF下载
PDF查询| 数据列表 | STG(B,P)30H60DF |
|---|---|
| 其它有关文件 | STGP30H60DF View All Specifications |
| 标准包装 | 50 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | 沟道和场截止 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 1.9V @ 15V，30A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| 功率 - 最大值 | 150W |
| Switching Energy | 750µJ |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | 115nC |
| Td (on/off) A 25°C | 50ns/160ns |
| Test Condition | 400V, 30A, 10 欧姆, 15V |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13583-5 |
