
| 数据列表 | STL11N4LLF5 |
|---|---|
| 其它有关文件 | STL11N4LLF5 View All Specifications |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | STripFET™ V |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 40V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 11A (Tpcb) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 9.7 毫欧 @ 5.5A, 10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 12.9nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1570pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 50W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商器件封装 | PowerFlat?(3.3x3.3) |
| 其它名称 | 497-13650-2 |