STS8C5H30,STS8C5H30|STMicroelectronics代理分销-STS8C5H30原装现货,PDF下载
PDF查询| 典型关断延迟时间 | 125（P 通道）ns，23（N 通道）ns | |
| 典型接通延迟时间 | 12（N 通道）ns，25（P 通道）ns | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 12.5 nC @ 5 V（P 沟道），7 nC @ 5 V（N 沟道） | |
| 典型输入电容值@Vds | 1350 pF @ 25 V（P 沟道），857 pF @ 25 V（N 沟道） | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 4mm | |
| 封装类型 | SO | |
| 尺寸 | 5 x 4 x 1.25mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 最大功率耗散 | 2000 mW | |
| 最大栅源电压 | ±16 V | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.022（N 通道）Ω，0.055（P 通道）Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 5.4（P 通道）A，8（N 通道）A | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N，P | |
| 配置 | 双、双漏极 | |
| 长度 | 5mm | |
| 高度 | 1.25mm |
