
| 数据列表 | TPCF8102 Mosfets Prod Guide |
|---|---|
| 产品目录绘图 | TPC8xxx Series Side TPC8xxx Series Top |
| 标准包装 | 4,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| FET 类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 6A (Ta) |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) | 30 毫欧 @ 3A,4.5V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 200µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 19nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1550pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD,扁平引线 |
| 供应商器件封装 | VS-8(2.9x1.9) |
| 其它名称 | TPCF8102TR |