
| 典型栅极电荷@Vgs | 20 nC @ 5 V(P 通道) | |
| 典型输入电容值@Vds | 1520 pF @ 10 V(P 通道)、93 pF @ 3 V(N 通道) | |
| 安装类型 | 表面贴装 | |
| 宽度 | 2.4mm | |
| 封装类型 | PS | |
| 尺寸 | 2.9 x 2.4 x 0.8mm | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功率耗散 | 1.96(P 通道)W | |
| 最大栅源电压 | ±10(N 通道)V、±8(P 通道)V | |
| 最大漏源电压 | 12(P 通道)V、20(N 通道)V | |
| 最大漏源电阻值 | 0.038(P 通道)Ω、3(N 通道)Ω | |
| 最大连续漏极电流 | 0.1(N 通道)A、5.5(P 通道)A | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 类别 | 功率 MOSFET | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 通道类型 | N,P | |
| 配置 | 双 | |
| 长度 | 2.9mm | |
| 高度 | 0.8mm |