
| 数据列表 | ZXTD1M832 |
|---|---|
| 产品相片 | MPL 3x2 Pkg |
| 其它图纸 | MLP Side MLP 3x2 Bottom |
| PCN Obsolescence | MLP322, 832 Pkg 20/Dec/2010 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 系列 | - |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 晶体管类型 | 2 PNP(双) |
| 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 4A |
| 电压 - 集射极击穿(最大值) | 12V |
| 不同?Ib、Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) | 300mV @ 150mA,4A |
| 电流 - 集电极截止(最大值) | 25nA |
| 不同?Ic、Vce?时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 180 @ 2.5A,2V |
| 功率 - 最大值 | 1.7W |
| 频率 - 跃迁 | 110MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-MLP |
| 供应商器件封装 | 8-MLP(3x2) |
| 其它名称 | ZXTD1M832TATR |