分析:基于运算放大器的PIN驱动器电路
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分析:基于运算放大器的PIN驱动器电路  2012/3/1
PIN二极管在重掺杂的P区和N区之间夹有一层轻掺杂的本征区(I),此类二极管广泛用于射频与微波领域。常见应用是要求高隔离度和低损耗的微波开关、移相器和衰减器。在测试设备、仪器仪表、通信设备、雷达和各种军事应用中,可以发现这类二极管的身影。开关电路中,每个PIN二极管都有附随的PIN二极管驱动器或开关驱动器,用来提供受控正向偏置电流、反向偏置电压以及控制信号(通常是一个数字逻辑命令)与一个或多个PIN二极管之间的激

    PIN二极管在重掺杂的P区和N区之间夹有一层轻掺杂的本征区(I),此类二极管广泛用于射频与微波领域。常见应用是要求高隔离度和低损耗的微波开关、移相器和衰减器。在测试设备、仪器仪表、通信设备、雷达和各种军事应用中,可以发现这类二极管的身影。

开关电路中,每个PIN二极管都有附随的PIN二极管驱动器或开关驱动器,用来提供受控正向偏置电流、反向偏置电压以及控制信号(通常是一个数字逻辑命令)与一个或多个PIN二极管之间的激活接口。根据应用需要,可以采用分立设计或专门IC实现这种驱动器功能。

另一方面,也可以使用随处可得的运算放大器以及箝位放大器、差分放大器等特殊放大器作为备选方案,代替分立PIN二极管驱动电路和昂贵的PIN二极管驱动器IC。此类运算放大器具有宽带宽、高压摆率和充裕的稳态电流,可驱动PIN二极管。本文讨论三种不同的PIN驱动器电路,它们采用运算放大器或特殊放大器:AD8037、AD8137和ADA4858-3。这些电路设计用于单刀双掷(SPDT) PIN二极管开关,但也可以对其进行修改,以适合其它电路配置。在详细说明这些电路之前,本文将先讨论PIN二极管的特性和使用。

PIN二极管

PIN二极管用作电流控制电阻,工作在RF和微波频率,正向偏置(“导通”)时其电阻只有几分之一欧姆,反向偏置(“截止”)时其电阻高达10 kΩ以上。与典型的PN结二极管不同,PIN二极管的P区与N区之间多了一层高阻性本征半导体材料(用PIN中的“I”表示),如图1所示。

当PIN二极管正向偏置时,来自P材料的空穴和来自N材料的电子注入I区。电荷并不能立即完成重新合并;电荷重新合并所需的有限时间量称为“载流子生命周期”。这导致I区中存在净存储电荷,因而其电阻会降至某一个值,称为二极管的有效导通电阻RS(图2a)。

当施加反向或零偏置电压时,二极管呈现为一个大电阻RP,它与电容CT并联(图2b)。通过改变二极管几何结构,可以使PIN二极管具有不同的RS和CT组合,以满足各种电路应用和频率范围的需要。

驱动器提供的稳态偏置电流ISS和反向电压共同决定RS和CT的最终值。图3和图4显示了典型PIN二极管系列——M/A-COM MADP042XX8-130601系列硅二极管的参数关系。二极管材料会影响其特性。例如,砷化镓(GaAs)二极管几乎不需要反向偏置就能实现低CT值,如图9所示。

PIN二极管中存储的电荷可以利用公式1进行近似计算。

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