飞思卡尔推出带FlexMemory的薄膜存储器闪存
飞思卡尔半导体日前宣布针对其下一代微控制器 (MCU) 平台提供 90纳米(nm) 薄膜存储器 (TFS) 闪存技术。该先进技术预定将在针对下列应用的飞思卡尔 MCU中部署，包括消费电子、家用电器、医疗器械及智能计量系统等。
飞思卡尔还同时推出 TFS 闪存的重要特性 FlexMemory。FlexMemory 提供简单、经济高效的片上增强型电可擦除编程只读存储器 (EEPROM)，提供业内领先的灵活性、性能及持久性等附加优势。用户可将FlexMemory 作为附加闪存存储器进行单独部署，或者作为 EEPROM 和闪存存储器的组合进行部署。
“我们的目标是为开发人员提供旨在减少成本及上市时间的整体即插即用解决方案，同时帮助他们显示其最终产品与众不同。”飞思卡尔高级副总裁兼微控制器解决方案集团总经理 Reza Kazerounian 表示，“我们日前宣布的技术改进将有助于解决上述问题，并证明我们有能力始终保持嵌入式 MCU 的领先地位。”
飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存的重要特性
随着 TFS 技术的推出，飞思卡尔能够实现以下优势：
?通过革命性的纳米硅技术提供业内领先的比特级可靠性；
?快速、低电压的晶体管提供低功耗读取功能，整个闪存操作时电压可低达 1.71 伏，达到功率敏感型应用日益提高的要求；
?闪存接入时间不到 30 纳秒；
?域效率出众，在各种闪存密度上实现高度的存储和外设集成。
FlexMemory 在飞思卡尔 90纳米薄膜存储器闪存技术中新增 EEPROM 这一重要特性，并在传统 EEPROM的基础上完成多项改进，包括：
?在确保现有 EEPROM容量（高达 16KB）和持久性（在整个适用温度和电压范围超过一百万循环）的同时，提供客户选项和应用优化；
?擦除和写入仅需 1.5 微秒即可完成，这比传统 EEPROM 解决方案快五倍。
飞思卡尔 FlexMemory 的多功能性使其可用于多种用途，包括额外的应用程序编码存储，用于数据表或字节写入/删除系统数据的存储。在所有模式中，FlexMemory可与主程序存储器一同进行访问。
