串并口F-RAMW系列存储器【Ramtron】
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串并口F-RAMW系列存储器【Ramtron】  2012/3/1
世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商RamtronInternationalCorporation(简称Ramtron)发布W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V到5.5V的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(activecurrent)需求降低了25%至50%,串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256-Kbit串口I2C与和SPI接口。64-Kbi

    世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)发布W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2.7V 到 5.5V的更宽电压范围。此外,W系列具有更高的性能,如有功电流(active current)需求降低了25%至50%,串口器件的首次存取启动(上电初始化)速度加快20倍。该系列中FM24W256和 FM25W256器件分别带有256-Kbit 串口I2C与和SPI接口。64-Kbit FM16W08 和 256-Kbit FM18W08器件则带有一个并行通信接口。

   

    Ramtron公司标准存储器市场推广经理 Mike Peters 表示:“W系列 F-RAM存储器具有宽工作电压范围,可帮助系统设计人员降低有功电流,提高系统性能。系统能够检测早期功耗,控制器的数据写入电压可降至2.7V,从而保护重要数据免受毁坏或丢失。W系列的宽工作电压范围带来更高的灵活性,能够最大限度地减少客户所需的库存元件数量。”

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