如何为D类放大器选取合适的参数？ (1)
如我们所知，D类放大器是一种开关型放大器，它分别由一个脉冲宽度调制器(PWM)，一个功率桥电路和一个低通滤波器组成，如图1所示。为了实现放大器的最佳性能，必须对功率桥中的开关进行优化，使得功率损耗、延迟时间、电压和电流毛刺都保持最小。因此，在这类放大器设计中，需要采用的开关应该具有低压降、高速的开关时间以及很低寄生电感。虽然这种开关有多种选择，但已证明MOSFET是用于这类放大器的最好开关，原因在于其开关速度。由于它是多数载流子器件，与IGBT或BJT这类器件相比，其开关时间比较快。但是要使D类放大器实现最好性能，所选的MOSFET必须能够提供最低的功、最小的延迟和瞬态开关毛刺。
于是，所选的MOSFET参数必须最优。关键的参数包括包括漏源击穿电压BVDSS，静态漏源通态电阻RDS(on)，栅极电荷Qg，体二极管反向恢复电荷Qrr，内部栅极电阻RG(int)，最大结温TJ(max)，以及封装参数。这些参数的适当选择将会实现最低的功耗，改进放大器的效率，实现低失真和更好的EMI性能，以及减小尺寸和/或成本。
选择MOSFET参数
不过，在动手前，重要的是要理解一些基本指标，如放大器输出功率，负载阻抗(如100W功率输出到8Ω阻抗上)，功率桥接电路拓扑架构(全桥还是半桥)，以及调制度(80%-90%)。
考虑上述这些因素，第一步是要确定放大器的工作电压。因此这将决定MOSFET的额定电压。不过，当选择该额定电压时，还必须考虑其他一些因素，如MOSFET的开关峰值电压以及电源的波动等。如果忽略这一点，将会导致放大器的雪崩条件，从而将影响放大器的性能。于是，针对所期望的放大器输出功率和负载阻抗，功率桥电路拓扑结构，调制度，还要考虑到一个与电路相关的附加因子(通常为10-50%)，最后可以通过方程1和方程2计算出最小的BVDSS。
