恩智浦推出业界最高性能的ARM Cortex-M3微控制器LPC1800
恩智浦半导体副总裁、微控制器产品线总经理Geoff Lees表示，“LPC1800为ARM Cortex-M3微控制器树立了新的性能标杆。恩智浦在可靠的高性能存储器架构和系统外设上的不断创新，造就了与众不同的LPC1800。”
恩智浦90nm工艺带来低功耗高性能的大容量存储器
LPC1800采用恩智浦的超低漏电流90nm工艺技术设计，具有运行速度更快、动态功耗更低的特点，独有的低漏电流优化将待机模式下的漏电流降低10至100倍。LPC1800为Cortex-M3提供业界最大的片内SRAM，多单元最高可达200KB，每个单元都有独立总线访问，具有更高吞吐量，可分别进行关断控制进入低功耗工作模式。双单元1MB Flash架构提供最可靠的应用中重新编程，支持无停顿的Flash操作。
无缝高速四路SPI接口和可配置定时器子系统
利用四路SPI架构在新型串行Flash存储器中迅速采用的优势，恩智浦首次推出无缝高速接口，可与几乎所有SPI和四路SPI厂商实现连接。高速接口与四通道SPI存储器连接时，每个通道的速率可达80 Mbps，其片外数据和代码执行速度远远高出片内存储器。
LPC1800可配置定时器子系统包括带状态机的定时器阵列，支持多种复杂功能，包括事件控制的PWM波形生成、ADC同步和死区时间控制。此定时器子系统为嵌入式设计者增加了灵活性，能为电源转换、照明和电机应用等的多种应用创建用户定义的波形和控制信号。
LPC1800的其他外设包括两个HS USB控制器、片内HS PHY、支持硬件TCP/IP校验和计算的10/100T以太网控制器、高分辨率彩色LCD控制器和AES解密算法（其中包含两个用于存储密钥的128位安全OTP存储器）。AES加密算法的不同版本可按需提供。
LPC1800标准特性
该系列所有产品的标准特性包括含有启动代码和片内软件驱动的32 KB ROM、8通道通用DMA(GPDMA)控制器，两个10位模数转换器和一个10位数模转换器（转换采样速率为400k/s）、马达控制PWM和正交
