日本大阪大学与产综研利用金刚石半导体制作出SBD
2010年9月14～17日于长崎大学举行的第71届应用物理学会学术演讲会上，日本大阪大学与产业技术综合研究所宣布，采用金刚石半导体制作出肖特基势垒二极管（SBD），调查其温度特性时发现，在25～200℃的温度下关断时的电流特性等不具有温度依存性。
大阪大学与产综研制作出了结合使用金刚石半导体及基于钌（Ru）的肖特基电极的SBD，并测量了其开关性能。据大阪大学等介绍，现已确认，该SBD可实现0.01μs的高速开关性能，依存于寄生电感及电流变化速度di/dt的恢复电流仅为40A/cm2，并且损耗较小。即使在25～200℃的范围内改变温度，其开关性能也不会发生变化。所以采用金刚石的SBD“有望应用于无需使用冷却装置的电力转换装置”。
另据称，现已确认，采用SiC的功率半导体IC在超过200℃的高温下也可稳定工作。不过，在这种高温环境下利用时，存在如何确保焊锡耐热性以及封装等元件和周边电路的耐热性的课题。
