日前，VishayIntertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用针对更高电压器件优化的新型低导通电阻技术的首款TrenchFET?功率MOSFET--- ThunderFET? SiR880DP。新器件是业界首款在4.5V栅极驱动下就能导通的80V功率MOSFET。新的80V SiR880DP采用热增强型PowerPAK? SO-8封装，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5m?、6.7m?和5.9m?的超低导通电阻。在4.5V栅极驱动下，该器件的典型导通电阻与栅极电荷的乘积为161，该数值是DC-DC转换器应用中MOSFET的优值系数(FOM，单位是nC-mΩ)。

      SiR880DP针对通信负载点应用的隔离式DC-DC转换器中初级侧开关进行了优化。非常低的导通电阻意味着可减少功率损耗和实现更绿色的解决方案，尤其是在待机模式这样的轻负载条件下。

      器件的4.5V电压等级有助于实现更高频率的设计，在POL应用中大幅降低栅极驱动损耗，并且可以使用电压更低、成本更低的5V PWM IC。截止目前，其他80V功率MOSFET还只能在6V或更高的栅极驱动下才能导通。

      SiR880DP经过了完备的Rg和UIS测试。这款采用PowerPAK SO-8封装的MOSFET符合IEC61249-2-21的无卤素规定，符合RoHS指令2002/95/EC。

      SiR880DP现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为十六周。

• · 优化的C2000 MCU 软件、工具与培训扩展产品 2012/3/1
• · Maxim 推出高压 HB LED 驱动器 2012/3/1
• · Maxim推出具有双路接收器接口的SFP光模块控制器 2012/3/1
• · 飞兆半导体LED驱动器延长手机电池寿命 2012/3/1
• · 无线外置显卡明年成真？wPCIe标准亮相 2012/3/1
• · NI 推出内置信号调理的PXI Express数据采集产品 2012/3/1
• · 飞兆半导体PFC控制器集成功能性以简化设计 2012/3/1
• · NI 发布 WLAN 测量套件2.0 2012/3/1