英飞凌推出第三代高速 IGBT 打破开关和效率界限
电子元件,电子元器件深圳市创唯电子有限公司
您现在的位置: 首页 > 电子技术
英飞凌推出第三代高速 IGBT 打破开关和效率界限  2012/3/1
英飞凌科技股份公司近日推出600V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化,适用于高频和硬开关应用,在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面,树立了行业新标杆,并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。近年来,各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT,比如开关和通态损耗优化,以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600V和1200V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器、开关电源和不间断


      英飞凌科技股份公司近日推出600 V和1200V高速3(第三代)IGBT产品系列。该系列经过优化,适用于高频和硬开关应用,在降低开关损耗、实现出类拔萃的效率方面,树立了行业新标杆,并可满足开关频率高达100kHz的应用需求。

      近年来,各种产品对分立式IGBT的需求促使设计者寻求具备优化特性的IGBT,比如开关和通态损耗优化,以期充分发挥产品的性能。英飞凌的全新600 V 和1200 V高速3系列IGBT可适用于电焊机、太阳能逆变器开关电源和不间断电源(SMPS 和UPS)等高频应用,帮助最大限度发挥系统的性能。

      英飞凌公司IGBT功率分立式器件高级营销经理Roland Stele指出:“最近几年,工业驱动、感应加热、电焊机、UPS和太阳能逆变器等应用对IGBT的需求大幅提高。所有这些产品都需要具有特定优化特性的功率开关。英飞凌提供的新一代突破性IGBT针对高频应用进行优化,具备最低的开关损耗并提高了系统效率。”

      全新的高速3 IGBT系列经过优化,适用于开关频率高达100 kHz的产品。它相对于上一代器件,总关断损耗降低35%。关断损耗的大幅降低主要源自于极短的拖尾电流时间。拖尾电流时间缩短75%,并表现出类似MOSFET的关断开关行为。

      由于Vce(sat)(通态饱和电压)对总体损耗也很关键,因此需要在开关损耗和导通损耗之间实现最佳平衡。全新的高速3系列不仅具备极低的开关损耗,而且具备较低的导通损耗,这主要得益于采用本身具备较低通态饱和电压的、成熟的Trenchstop? 技术。

      对于高速3系列中具备续流二极管的IGBT而言,其二极管的尺寸经过优化,适用于高速开关,同时可维持较高的软度,使产品具备出色的抗电磁干扰性能。

供货与定价
      符合RoHS标准的全新高速3 IGBT系列,其600V器件的电流范围为20A至50A,其1200V器件的电流范围为15A至40A。该系列目前全面投入量产。

      样品数量的价格范围为1.90欧元(600V 20A)至5.10欧元(1200 40A)。

与《英飞凌推出第三代高速 IGBT 打破开关和效率界限》相关列表
电话:400-900-3095
QQ:800152669
库存查询
Copyright(C) 2011-2021 Szcwdz.com 创唯电子 版权所有 备案号:粤ICP备11103613号
专注电子元件代理销售  QQ:800152669  电子邮件:sales@szcwdz.com  电话:400-900-3095