瑞萨科技发布与DrMOS相兼容的MOSFET (1)
株式会社瑞萨科技（以下简称瑞萨）宣布推出R2J20653ANP，一款适用于笔记本电脑用CPU及存储器等器件中稳压器（VR）的Integrated Driver-MOSFET。它符合Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)标准，并具有支持高达27V电压的高电压容限，具有业界最高、达到91%的高电源效率（当输入电压为20V时，输出电压为1.1V）。该产品已于2009年12月7日起投入量产。
Integrated Driver-MOSFET (DrMOS)是英特尔公司提出的半导体器件标准封装形式。*1在一个单独的封装中，集成了一个DrMOS、两种类型CPU电源所需的MOSFET等器件，以及驱动器IC。R2J20653ANP是符合此标准的高集成器件。例如，它可以用于将20V的输入电压转换成1.1V的CPU电源电压。下面是R2J20653ANP的特性描述：
(1) 符合DrMOS 标准，具有高电压容限，满足20V的笔记本适配器电压需求
长期以来，瑞萨一直在提供符合DrMOS标准的一系列产品，尤其是输出电压为12V的服务器和台式电脑。新的R2J20653ANP将可承载的输入电压扩展到适用于笔记本电脑的20V适配器电压，成为瑞萨高电压容限电源类的首款产品。这款产品的推出有助于笔记本用CPU电源在实现更加小型化的同时，达到更高的性能，并且有望带动DrMOS标准更加广泛的应用。
(2) 在20V电压下，达到业界顶级的电源效率
通过在一个小封装中的集成实现了高效率，并采用了具有业界高水平性能的细微匹配功率MOSFET和高性能驱动器IC。例如，在输入电压为20V、输出电压为1.1V（频率为300MHz）时，电压转换效率可以达到业界最高水平的91%。这有助于电源达到更低的功耗和更大的电流性能。
(3) 适用于更多小型CPU电源的紧凑（6 mm × 6 mm）型高散热封装
R2J20653ANP集成了一个大小仅为6.0 × 6.0 × 0.95 (mm)的单独的40引脚QFN封装，以及CPU电源等所需的两类功率MOSFET，并具有一个用以驱动它们的驱动器IC。因此，与采用三个封装的传统配置相比（与瑞萨以往产品相比较），节省了70%的安装空间。另外，高散热封装适应于高速转换，因此也减少了外部有源部件的大小和数量，如电感器和电容器。
这种封装与瑞萨针对服务器的R2J20651ANP DrMOS兼容产品在引脚上相兼容，后者可以支持12V的输入电压。这就减少了在现有系统上，采用R2J20653ANP所需的开发时间。
(4) 两个阶段过热保护功能
为了保护笔记本电脑免受过热、甚至是燃烧的损害，产品的过热保护设计尤其重要。例如，可以在产品设计阶段提供产品的过热保护功能。R2J20653ANP是业界首款DrMOS兼容型产品，将两个阶段的过热保护功能整合到驱动器IC中，包括了过热警告功能和过热关断功能。这就使器件更安全并高度可靠。
