Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET
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Diodes推出为VoIP应用优化的全新MOSFET  2012/3/1
Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话(VoIP)通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要


      Diodes公司推出两款N沟道MOSFET,为网络电话 (VoIP) 通信设备的设计人员带来一种更坚固的解决方案,极大地降低了电路的复杂性和成本。

      ZXMN15A27K及ZXMN20B28K经过特别设计,能满足各种VoIP应用中基于用户线接口电路(SLIC)DC/DC转换器对变压器中初级开关位置的严格要求。这些应用涵盖宽带语音系统、PBX系统、有线和DSL网关。

      两款新器件的击穿电压(BVDSS)分别为150V及200V,能够承受SLIC环境下的高脉冲雪崩能量和通信模式,不需要额外的保护电路。配合正确选择的变压器,这些MOSFET就能驱动150V以上的线路电压,并以6公里以上的环路长度提供多种用户线路。

      这些MOSFET的低输入电容使其易于以很少或没有缓冲直接从SLIC控制IC进行驱动,进一步简化了电路设计,减少了元件数量和成本。ZXMN20B28K还可在逻辑电平实现低栅极驱动。

      ZXMN15A27K及ZXMN20B28K均采用TO252-3L封装。

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