IR推出高效解决方案,为DDR3内存模块提供动力
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IR推出高效解决方案,为DDR3内存模块提供动力  2012/3/1
全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier,简称IR)推出IR3522和IR3506XPhase?芯片组,为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。新推出的IR3522双输出脉宽调制(PWM)控制器内置了I2C接口,为DDR3VDDQ和Vtt轨提供了全面的系统控制。这款器件能够与任何数目的IR3506相位IC连接,驱动尽可能多的相位,为任何数量的DDR3双列直插内存模块(DIMMS)提供动力,简化了设计,减少了电路板面积,从而节省


      全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出IR3522和IR3506 XPhase ? 芯片组,为DDR3多相位内存应用提供全面的功率解决方案。

      新推出的IR3522双输出脉宽调制 (PWM) 控制器内置了I2C接口,为DDR3 VDDQ和Vtt轨提供了全面的系统控制。这款器件能够与任何数目的IR3506相位IC连接,驱动尽可能多的相位,为任何数量的DDR3双列直插内存模块(DIMMS) 提供动力,简化了设计,减少了电路板面积,从而节省了整体系统成本。IR3522/IR3506芯片组通过I2C接口在VDDQ和Vtt输出之间提供更灵活的余量,使跟踪功能更加准确。

      IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示:“全新的XPhase解决方案是为DDR3应用而设计,提供外形更小巧、更灵活、更易于设计的电源,而且无论在轻负载还是满负载下,效率都比传统方法更高。IR3522兼具两方面的优点,将模拟控制的精度与通过I2C实现的电源管理功能可编程性相结合,以实现简单且智能的内存供电。”

      IR3522通过I2C兼容接口为VDDC和Vtt输出提供输出电压编程能力,VDDQ设置点误差只有+/-0.5%。IR3506则提供源及汇功能,使Vtt输出到VDDQ的跟踪更为准确。此外,IR3506还支持省电功能 (PSI),实现轻负载条件下最高的效率。

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