ARM公司发布“Osprey”A9内核竞争Atom
处理器知识产权许可商ARMHoldingsplc已经成功开发出双内核Cortex-A9处理器设计(被称为Osprey)的两个实现。
Osprey是40nm硬宏处理器，能够达到2GHz的时钟频率，是ARM公司开发的最高性能内核之一。该设计看起来非常类似TI公司有望在今年秋季出样的OMAP-4芯片，它将两个ARMCortexA9内核集成在单个IntelAtom内核空间范围内(参见三星、Intrinsity公司将ARM提升到GHz速率)。
Osprey至少在Intel改变其制造工艺之前会是Atom的有力竞争对手。它采用硬宏的形式，设计使用台湾台积电(TSMC)的40G40nm制造工艺技术制造。
Osprey硬宏分别针对功耗和性能作了优化，而针对性能的优化使得ARM处理器完全进入了高性能应用竞争领域。
“Osprey的目标除了性能还是性能。”ARM公司处理器事业部营销副总裁EricSchorn表示，“我们正在开拓新的市场，比如上网本(netbook)、智能本(smartbook)、移动互联网设备(MID)、电视和娱乐设备中的消费电子以及企业连网设备(比如打印机之类)。”
Osprey本身就是一个双内核处理器，但没有人能阻止许可获得方在裸片上放置多个内核，Schorn指出。虽然ARM仍在等待台积电公司生产出完整测试的芯片，这将在今年第四季度完成，但前面提到的两个设计已经可以用于许可，其IP可以在2009年第4季度发货。因此用户应能在2010年内生产出他们自己的SoC。
针对速度优化的实现适用于企业服务器、网络设备、打印机和其它要求时钟频率高达甚至超过2GHz的峰值性能应用。这种内核占用6.7平方毫米的硅片面积，在2GHz时钟频率下可以提供10000DMIPS运算能力，功耗约为1.9瓦。
针对功耗优化的实现适用于移动计算设备、智能电脑和要求800MHz到1GHz以上时钟频率的其它消费电子设备。它占用4.9平方毫米的裸片面积，在800MHz时钟频率时可以提供4000DMIPS运算能力，功耗0.5瓦。这两种实现都将采用台积电的40G工艺，并支持低漏电GL工艺选项。
上述设计包含一个固定大小的一级缓存，容量是32kB指令和32kB数据，另外还有一个二级缓存控制器，支持128kB到8MB的二级缓存空间。
Schorn声称，通过等效性比较，Osprey的规模在Intel公司采用类似40/45nm工艺技术生产的Atom处理器的1/3至1/4之间。ARM的Osprey还通过了嵌入式微处理器基准联盟的Coremark基准测试。
RM介绍，这两个实现的性能都超过了工作在1.6GHz的AtomN270。针对功耗优化的实现可以在800MHz时钟频率时做到这一点，而针对速度优化的版本虽然工作在2GHz，但性能超出达2.5倍。
