爱特梅尔ARM9嵌入式MCU提供DDR2标准配置
爱特梅尔公司 (Atmel? Corporation) 宣布推出400 MHzARM926嵌入式微控制器系列之首款产品SAM9G45，该器件支持第二代双倍数据速率DRAM (DDR2)，并针对楼宇自控系统、数据记录仪、销售终端机 (POS)、报警系统和医疗设备等工业应用而优化。ARM926 外设包括带有片上物理层的ECHI 兼容高速USB、双EBI、10/100以太网MAC、LCD和触控屏控制器、可编程1.8或3.3V I/O供电电压，以及高数据带宽架构。
DDR2 在嵌入式应用中替代SDRAM：爱特梅尔ARM? 产品总监Jacko Wilbrink指出：“大多数基于ARM9之嵌入式微处理器仅仅支持 SDRAM存储器，但问题在于存储器供货每每由大批量 PC 市场所驱动，而SDRAM对于目前一代PC而言基本上已经过时了。而且为了应对当前的经济危机，许多存储器供货商已将其SDRAM代工厂停工，所以我们预计未来SDRAM的供货将会逐渐减少，而客户也因而也要面对相关的问题。相比之下，DDR2和DDR3能够提供更高的存储器密度、更好的性能、更低的成本和更低的功耗，正好配合市场发展的方向。”
Jacko Wilbrink又表示：“现时，DDR3所需的最小外部总线为300MHz，这对于大多数嵌入式微控制器而言太高了，所以DDR2是设计人员的最佳选择。我们认为DDR2将成为工业嵌入式市场的首选存储器，因此会积极主动地在基于ARM9?之微控制器中集成DDR2。我们的客户现在可以使用AT91SAM9G45和其它即将推出、具DDR2功能之微控制器，顺利将其未来设计从SDRAM转向DDR2。”
带有 1.8或3.3V供电电压之集成式功率管理：大多数基于ARM9的微控制器最初都是为供电电压为1.8V的移动电话市场而开发的。为了适应工作电压通常为3.3V的工业应用，它们需要使用昂贵的外部功率管理IC和电平转换器。SAM9G45具有集成式功率管理功能、转换速率控制I/O和可编程1.8V或3.3V电平，采用焊球间距为0.8mm之封装，可简化工业控制设计，并降低成本。
高连接性并支持智能UI：SAM9G45使用时钟速率为 400 MHz的处理器，带有支持133MHz 之DDR2的双并行外部总线接口 (EBI)，并集成带有片上收发器的高速(480 Mbps) EHCI兼容USB主机和设备端口、以太网 MAC，用于MMC4.3和 SDIO/SDCard 2.0的两个接口，以及一个带有电阻性触控屏界面CMOS相机和音频的LCD控制器，是需要高带宽通信、高密度数据储存和现代化图形用户接口之嵌入式应用的理想平台。
