士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——S-RinTM系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品，S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越，工作电压可以覆盖400V—900V区间，可以兼容多晶稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于AC-DC功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。S-RinTM产品采用了
士兰微电子近期推出了新一代高压
MOSFET产品——S-RinTM
系列高压VDMOS。这是士兰微电子历经多年的自主研发所推出的第三代高压MOSFET产品。相比较于前两代的产品，S-RinTM系列高压VDMOS产品性能更加优越，工作电压可以覆盖400V—900V区间，可以兼容多晶
稳压管结构以提高ESD特性；具有高可靠性，高效率，高EAS能力，导通电阻低，动态参数优等特点，已被广泛应用于AC-DC
功率电源，DC-DC转换器以及PWM马达驱动等领域。
S-RinTM产品采用了条形元胞结构，并优化了元胞的工艺及设计尺寸。相对于采用其他结构元胞的器件，在EAS能力方面具有较大的优势；此外，由于采用了尺寸较小的
GR环作为其保护环，这样在相同规格的条件下，S-RinTM产品就具有相对较小的芯片面积，这一优势能有效降低成本，增加芯片的利用效率。
