日大阪大学试制出GaN系半导体红色LED
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文试制出了利用GaN系半导体的红色LED组件。利用GaN系半导体的蓝色LED组件及绿色LED组件现已达到实用水平，但试制出红色LED组件“还是全球首次”。如果可与蓝色LED组件及绿色LED组件一样，利用GaN系半导体制造出红色LED组件，便可在相同底板内实现RGB的3原色。这样一来，估计将有助于实现像素尺寸较小且精细度较高的LED显示器。
此次，通过在发光层上利用添加稀土类元素“铕（Eu）”的GaN，实现了红色LED组件。此前也进行过向GaN添加Eu以获得红色光的研究，但原来采用离子注入法添加Eu，通过光致激发（Photoexcitation）获得红色光。而藤原的研究小组采用MOCVD法添加Eu，同时通过注入电流成功地获得了红色光。这是“全球首次”采用该方法获得红色激光。
日大阪大学试制出GaN系半导体红色LED组件
试制品在驱动电流为20mA，驱动电压为6V时，光输出功率为1.3μW。虽然光输出功率尚小，但作为LED组件，如果进一步优化电极结构等，预计还可大幅提高光输出功率。
