Vishay推出采用TurboFET技术MOSFET
日前，VishayIntertechnology, Inc.推出两款20V和两款30V n通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。这些器件首次采用 TurboFET技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。
这次Vishay推出的20V器件包括SiS426DN和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸3mm×3mm的PowerPAK 1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN而言，直流到直流转换器中针对MOSFET的此关键优值(FOM)在4.5V时为76.6mΩ-nC，而在10V时为117.60mΩ-nC；它在4.5V栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nC，在10V栅极驱动时低至28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5V及10V时栅极电荷分别降低45%与36%，FOM降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。
Vishay的30V TurboFET系列包括采用PowerPAK 1212-8封装的新型Si7718DN和采用PowerPAK SO-8封装的Si7784DP。两款MOSFET在4.5V和10V时典型栅极电荷分别为13.7 nC和30 nC，且在4.5V和10V时导通电阻与栅极电荷乘积FOM分别为112.34mΩ-nC和180mΩ-nC。采用PowerPAK SO-8封装的20V SiS426DN器件SiR496DP也可用于大电流应用。日前推出的所有器件均无卤素，且100%通过Rg和UIS测试。
这些器件将在同步降压转换器中用作高端MOSFET，通过使用负载点(POL)功率转换有助于节省笔记本电脑、稳压器模块(VRM)、服务器及其他系统的功耗。
