12月4日，VishayIntertechnology,Inc.推出两款20V和两款30Vn通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET?功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET?技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。这次Vishay推出的20V器件包括SiS426DN和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸3mm×3mm的PowerPAK?1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN而言，直流
12月4日，Vishay Intertechnology, Inc.推出两款20V和两款30V n通道器件，从而扩展其第三代TrenchFET?功率MOSFET系列。这些器件首次采用TurboFET?技术，利用新电荷平衡漏结构将栅极电荷降低多达45%，从而大幅降低切换损耗及提高切换速度。ONT>
这次Vishay推出的20V器件包括SiS426DN和SiR496DP，其中SiS426DN器件采用尺寸st="on" TCSC="0" NumberType="1" Negative="False" HasSpace="False"SourceValue="3" UnitName="mm">3mmst1:chmetcnv>×3mm的PowerPAK?1212-8封装，可为此额定电压的设备提供业界最低的导通电阻与栅极电荷乘积。对于SiS426DN而言，直流到直流转换器中针对MOSFET的此关键优值(FOM)在4.5V时为76.6 m?-nC，而在10 V时为117.60 m?-nC；它在4.5V栅极驱动时典型栅极电荷低至13.2 nC，在10V栅极驱动时低至28 nC。与最接近的同类竞争器件相比，这些规格意味着在4.5V及10V时栅极电荷分别降低45%与36%，FOM降低50%。更低的栅极电荷意味着在所有频率时更有效的切换，尤其是可让设计人员选择以更高的频率工作，从而确保在直流到直流转换器中使用更小的无源元件。
