IDT推出用于高端手机的异步双端口新器件
IDT?公司（Integrated Device Technology, Inc.）推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接，新的IDT器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性，并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外，凭借增加的电源平面隔离功能，这些器件显著降低了总系统功耗。
IDT低功耗双端口SRAM内置的独特电源平面隔离功能有利于手机实现真正的待机状态，同时使整个处理子系统处于待机模式，显著减低用电量，延长电池寿命。对于那些采用额外逻辑或复杂可编程逻辑器件（Complex Programmable Logic Devices – CPLD）实现复杂电源管理方法的客户，IDT的低功耗双端口还可以通过省却这些额外元件，帮助降低设计复杂性。
IDT还推出了70P2X9双端口系列新器件。这些新一代产品与IDT之前的器件引脚向后兼容，无需重新设计即可实现增加的功能。为了帮助实现设计灵活性，该系列器件还在两个端口上内置了可选的ADM/非ADM操作、各种内核和I/O电源电压支持、256K密度选项和电源平面隔离功能。
IDT通信部副总裁兼总经理Fred Zust表示：“高端手机消费需要高速下载及高质量回放功能，还要在不消耗太大电池功耗的前提下实现要求的速度和质量。我们发现基带和应用处理器间的接口是主要的性能瓶颈和电池消耗大户。很明显，需要新的互连架构来解决来这个问题，因此我们在该应用领域与领先的高端手机制造商和卓越的处理器元件供应商紧密合作，设计了这些双端口。”
