美光联手Sun公司延长闪存存储使用寿命
美光科技有限公司今天宣布，美光与太阳微系统公司合作开发了新的单层单元（SLC）企业级NAND技术，能够大幅延长企业级应用的闪存存储使用寿命。双方通过合作，开发了可重复写入次数达100万次的量产型设备。这一里程碑将有助于行业为Sun、美光等公司创造的固态存储的新用途做好准备。采用这项新技术，可写入/擦除次数能达到市场上现有NAND技术的最高水平。
美光公司存储器事业部副总裁Brian Shirley说，“美光很高兴能与Sun公司合作取得这一里程碑式的成绩，这能使闪存摆脱过去标准单层单元和多层单元NAND在可写入/擦除次数方面固有的种种限制，得以应用于新的应用产品。我们相信，这一技术将彻底改变企业存储的格局，将广泛应用于固态驱动器与存储系统、磁盘缓存以及网络和工业应用等各类事务密集型应用。”
Sun公司闪存首席技术专家Michael Cornwell说，“随着企业级固态驱动器闪存技术的市场不断成熟，Sun公司等业界领先企业将技术创新与下一代开源软件相结合，推出基于闪存的存储产品。这类产品的形式大为简化，性能也有明显突破，但成本仅为传统的磁盘存储系统的一小部分。作为闪存式存储解决方案领域的领先企业，Sun公司与美光公司密切合作，设计出了这项里程碑式的新一代NAND技术，让客户从现在开始就能利用下一代闪存技术。”
美光公司目前提供其企业级NAND闪存试用产品，存储密度最高达32Gb。产品预计于2009年一季度投入量产。美光公司还准备明年初采用其业界一流的34nm NAND工艺，推出单层单元和多层单元这两种形式的企业级NAND产品。
