IR全新基准MOSFET提升60%封装电流额定值
国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR）推出具备高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新组件的封装电流额定值达到195A，较典型封装电流额定值高出60%。新MOSFET并比先前的产品有更佳的导通电阻 （RDS（on）），以及提供普及的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 接脚D2PAK封装的封装电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最稳固的黏贴封装之一。这种7接脚D2PAK封装更比D2PAK进一步降低RDS （on）。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：「这些封装提供的更高电流额定值有助从不需要的瞬时提供更多防护频带，且能让有数枚MOSFET分享高电流的平行型拓朴可以减少组件数目。」
全新N信道MOSFET系列提供60V至200V电压，并达到工业级别及MSL1标准。新组件均不含铅及符合电子产品有害物质管制指令 （RoHS）。
产品基本规格如下：
