泰科电子推出新型SiBar浪涌抑制器件
美国加州MENLO PARK –2007年12月11日-泰科电子宣布Raychem品牌的SiBar系列浪涌抑制器增加了新的产品。这些新的双向瞬态电压抑制器扩大了电压提供范围并降低了电容值，可用于保护高速ADSL / VDSL调制解调器、以太网和以太网供电电路和其他高速通信设备，防止它们因为过电压而受到损坏。
新的SiBar浪涌抑制器符合GR-1089 Core、ITU K.20/K.21、IEC61000-4-5、FCC第68章以及UL60950等主要标准，并能对行业标准中的50A、80A、100A （10/1000μs ）系列的浪涌电流提供快速的双向保护。
器件的关键性参数：电压范围从6 V至400 V，电容低至12 pF，最大漏电流仅2 μA，最小保持电流为150毫安。器件有SMB（JEDEC DO-214AA）和SMA（JEDEC DO-214AC）两种表面贴装封装可供选择。
SiBar浪涌抑制器能够保护敏感的电信设备和数据通信设备，防止包括雷击在内的瞬态过电压事件造成的损坏，在浪涌电压超过器件击穿电压时起分流作用。当浪涌电压超过击穿电压时，SiBar工作在保护特性曲线的低阻区，形成一个低阻通路，有效地降低过电压。SiBar器件保持低阻状态直到流过该器件的电流下降到低于保持电流。在过电压事件过去之后，SiBar器件自动恢复到高阻状态，系统正常工作。
SiBar器件除了自恢复功能以外，还有尺寸小，通态功耗低，击穿电压准确等特点。新推出的器件电容小，适合在高速数据传输的电路中使用。
该器件符合RoHS的要求，与无铅焊接和大批量贴装的工艺过程兼容，可用于保护通信网络设备，包括模拟和数字线路卡、XDSL和ISDN调制解调器、机顶盒、T1设备以及VoIP设备等。
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