---在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上,Infineon公司（位于德国慕尼黑）推出了世界上首个16Mb磁阻RAM（MRAM）样品。这项由该公司与IBM公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）历经数年共同开发而成（见《ElectronicsProducts》2001年8月刊第24页）、并于最近转让给上述两家公司的合资企业Aldis（位于法国Essonnes）的MRAM技术突破了非易失性存储器在速度、功率以及密度方面的局限性,因而有可能在未来的几年之内引发计算
---在最近美国夏威夷举行的本年度VLSI电路学术研讨会上,Infineon公司（位于德国慕尼黑）推出了世界上首个
16Mb磁阻RAM（MRAM）样品。这项由该公司与
IBM公司（位于美国加利福尼亚州圣何塞）历经数年共同开发而成（见《Electronics Products》
2001年8月刊第
24页）、并于最近转让给上述两家公司的合资企业Aldis（位于法国Essonnes）的MRAM技术突破了非易失性存储器在速度、
功率以及密度方面的局限性,因而有可能在未来的几年之内引发计算机工业的一次革命。
---与传统的计算机芯片不同,MRAM芯片是采用磁化（而不是电荷）来存储信息的。不过,MRAM芯片中的信息在系统
电源被移开之后仍然保持完整。
