安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界电流水平功耗的新型功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/GPU供电,直流－直流转换及高低端开关,如台式机、笔记本电脑和服务器中。这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使电源效率更高。器件其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预
安森美半导体推出18款优化直流－直流转换并降低临界
电流水平功耗的新型
功率MOSFET器件。这些功率MOSFET适用于计算应用中的CPU/
GPU供电,直流－直流转换及高低端
开关,如台式机、
笔记本电脑和服务器中。
这些新型的30伏(V),35到191安培(A)的器件是单个N-沟道MOSFET提供较低RDS(
on)以尽量降低功耗。器件的门极电荷和门极电荷比也小,降低导电和开关损耗,使
电源效率更高。
器件
其中8款新型功率MOSFET器件采用DPAK封装,而每10,000片的批量预算单价在0.
40至0.87美元之间。
器件 VDS ID Rdson @ 10 V Qg (典型)
NTD4804N 30 V
117 A 4 mΩ 30 nC
NTD4805N 30 V 88 A 5 mΩ 20.5 nC
NTD4806N 30 V 76 A 6 mΩ
15 nC
