美国加州圣尼维尔（Sunnyvale）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺,从而使二元和多级元（Multi-levelcell,MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍,并且使产品体积缩小,生产成本降低。两公司在发展计划中提出未来存储产品的容量将进一步提升,包括2Gb和4GbMLCNAND快闪存储器。在单片存储卡上集成多个闪存芯片,将使手持设备能够存储
美国加州圣尼维尔（Sunnyvale）的SanDisk公司和该州伊尔文（Irvine）的东芝美国电子元件公司合作开发了0.09μm工艺,从而使二元和多级元（Multi-level cell,
MLC）NAND快闪存储器容量和竞争力提高。新的工艺将使目前0.13μm工艺产品的存储容量提高一倍,并且使产品体积缩小,生产成本降低。
两公司在发展计划中提出未来存储产品的容量将进一步提升,包括 2Gb和4Gb MLC NAND快闪存储器。在单片存储卡上集成多个闪存芯片,将使手持设备能够存储数十分钟长度的DVD视频,成千上万的高分辨率图像,超过30小时的数字音乐,或者数千兆的数据文件。
0.09μm NAND存储芯片将在日本的东芝公司的Yokkaichi工厂为两公司生产,Yokkaichi在合资企业FlashVision名下。预期在
2003年下半年会有样品推出,成批生产预定于
2004第一季。更新一代的工艺研究也已经开始,包括0.07μm和0.055μm工艺。
